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自旋电子器件制作工艺获新打破

来源:杏彩体育官网登录入口    发布时间:2024-09-06 16:28:49

  每经AI快讯,美国明尼苏达双城大学研讨人员和国家标准与技能研讨院(NIST)的联合团队开发了一种制作自旋电子器件的打破性工艺,该工艺有或许成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子科技类产品的中心部件,新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备,而且使这些设备比以往更小。研讨论文宣布在最近的《先进功用资料》上。(科技日报)

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